[发明专利]半导体结构和相关方法有效
| 申请号： | 201710717449.3 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN107799465B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡宇翔;曾仲铨;褚立新;刘家玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于提供具有掩埋的低K介电层的绝缘体上半导体(SOI)晶圆的方法和结构，包括在第一半导体衬底上形成器件层。在各个实施例中，器件层的至少部分与第一半导体衬底分离，其中分离在器件层的分离部分上形成切割表面。在一些实例中，在第二半导体衬底上形成图案化的低K介电层。此后，并且在一些实施例中，器件层的分离部分沿着切割表面接合至图案化的低K介电层。本发明实施例涉及半导体结构和相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，包括：在第一半导体衬底上形成器件层；将所述器件层的至少部分与所述第一半导体衬底分离，其中，所述分离在所述器件层的分离部分上形成了切割表面；在第二半导体衬底上形成图案化的低K介电层；以及沿着所述切割表面，将所述器件层的所述分离部分接合至所述图案化的低K介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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