[发明专利]具有钝化层的半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201710646918.7 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN108231535A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 施佑龙;李肇耿;郭铂漳;张庆全;林奕安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有钝化层的半导体装置的制造方法，包括使用第一沉积制程，沉积介电层于导电垫上方。上述方法还包括使用高密度等离子化学气相沉积，沉积第一钝化层直接位于上述介电层的上方。上述第一沉积制程与高密度等离子化学气相沉积不同。所述介电层的厚度足以避免在沉积第一钝化层所产生的电荷到达所述导电垫。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 沉积 高密度等离子 化学气相沉积 半导体装置 导电垫 介电层 制程 沉积介电层 电荷 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有钝化层的半导体装置的制造方法，该制造方法的特征在于包含：使用一第一沉积制程，沉积一介电层于一导电垫上方；以及使用高密度等离子化学气相沉积，沉积一第一钝化层直接位于该介电层的上方，其中该第一沉积制程与高密度等离子化学气相沉积不同，且该介电层的一厚度足以避免在沉积该第一钝化层所产生的电荷到达该导电垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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