[发明专利]具有电容连接垫的半导体结构与电容连接垫的制作方法有效
申请号: | 201710645803.6 | 申请日: | 2017-08-01 |
公开(公告)号: | CN109326596B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 张峰溢;李甫哲;陈界得;张翊菁 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种具有电容连接垫的半导体结构与电容连接垫的制作方法。该具有电容连接垫的半导体结构包含一基底,其中具有多个接触结构、一第一介电层位于该基底与该些接触结构上、以及多个电容连接垫,每一该电容连接垫位于一该第一介电层中并与一该接触结构电连接,其中该些电容连接垫呈现上宽下窄且顶面下凹的形状。 | ||
搜索关键词: | 具有 电容 连接 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种电容连接垫的制作方法,包含:提供一基底,该基底中具有多个接触结构;在该基底上形成第一介电层;在该第一介电层中形成多个第一凹槽,其中每一该第一凹槽裸露出一个该接触结构且呈现上宽下窄的形状;以及在该些第一凹槽中填入接触材料以形成电容连接垫,其中该些电容连接垫的顶面呈现下凹的形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司,未经联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710645803.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体元件及其制作方法
- 下一篇:使用栅极绝缘破裂的一次性可编程存储器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的