[发明专利]一种双波长半导体激光器芯片结构有效
| 申请号： | 201710644176.4 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109326959B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 苏建;李沛旭;汤庆敏;夏伟;肖成峰 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
一种双波长半导体激光器芯片结构，包括：外延片Ⅰ，其下端面设置有向外凸起的条形发光区，条形发光区的宽度为3‑4 |
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| 搜索关键词： | 一种 波长 半导体激光器 芯片 结构 | ||
【主权项】：
1.一种双波长半导体激光器芯片结构，其特征在于，包括：外延片Ⅰ（1），其下端面设置有向外凸起的条形发光区（3），所述条形发光区（3）的宽度为3‑4![]()
；以及外延片Ⅱ（2），其上端面设置有向内凹陷的槽形发光区（4），所述槽形发光区（4）的宽度为8‑10![]()
；所述槽形发光区（4）的深度与条形发光区（3）的高度相匹配，所述外延片Ⅰ（1）下端面与外延片Ⅱ（2）的上端面粘合固定，所述条形发光区（3）插装于对应的槽形发光区（4）中。
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