[发明专利]一种用GPP芯片制造超高频高压二极管的方法

摘要

一种用GPP芯片制造超高频高压二极管的方法，步骤包括：(1)整列：将GPP芯片通过真空整列盘进行整列，使GPP芯片的PN面方向一致，将与芯片大小相当的圆形焊片通过真空整列盘进行整列；(2)治具组装：所述治具包括第一石墨盘、第二石墨盘和第三石墨盘，在最底部放置一其内控中放置有铜引线的第一石墨盘，本发明采用上述结构，使用带有芯片表面生长有硅绝缘材料技术制成并用玻璃保护表面的芯片，其表面钝化技术有效的固定了可移动离子，玻璃的绝缘强度高，产品的高温特性好，其高温下的反向漏电比原有的降低了一个数量级，失效率低可靠性高。

主权项

1.一种用GPP芯片制造超高频高压二极管的方法，其特征在于：步骤包括：/n(1)整列：将GPP芯片通过真空整列盘进行整列，使GPP芯片的PN面方向一致，将与芯片大小相当的圆形焊片通过真空整列盘进行整列；/n(2)治具组装：所述治具包括第一石墨盘、第二石墨盘和第三石墨盘，在最底部放置一其内控中放置有铜引线的第一石墨盘，在第一石墨盘上放置第二石墨盘，第一石墨盘的内孔与第二石墨盘的内孔位置相对，在第二石墨盘的内孔中放入焊片，焊片与第一石墨盘内的铜引线相接触，根据所需要制造的二极管的耐压值来确定所需GPP芯片的个数，在第二石墨盘的内孔中间隔放入GPP芯片和焊片，最顶部为焊片，在第二石墨盘的顶部放置第三石墨盘，第三石墨盘的内孔与第二石墨盘的内孔位置相对，在第三石墨盘的内孔中放置铜引线，铜引线与焊片相接触；/n所述焊片的厚度为0.3mm；/n(3)焊接：将治具放入隧道式烧结炉内加热，隧道式烧结炉内氮气流量：200-210L/H，温度为320-360℃，时间为10-12分钟；/n(4)脱模：将治具从隧道式烧结炉中取出，将治具解体，取出焊接成型的PN结及引线；/n(5)清洗：将焊接好的PN结及引线转移到清洗盘，使用丙酮清洗液进行清洗，然后进行超声清洗；/n(6)烘干：将经过步骤(5)清洗后的焊接好的PN结及引线的铜导线在紫外灯箱下烘烤30-35分钟，温度80-85℃；/n(7)塑封：将经过步骤(6)烘干的PN结及引线，使用EME1100RG环氧模塑料进行塑封，模温为180-185℃；/n(8)固化：将经过步骤(7)塑封的PN结及引线放入高温固化，温度为170-175℃，时间为8小时；/n(9)电镀：将经过步骤(8)固化的PN结及引线通过滚镀方式进行电镀，镀层为锡，镀层厚度为4-7um；/n(10)包装：对PN结及引线安装外壳，得到超高频高压二极管。/n