[发明专利]一种用GPP芯片制造超高频高压二极管的方法有效

专利信息
申请号: 201710631454.2 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN107342222B 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 徐景志;史振坤 申请(专利权)人: 阳信金鑫电子有限公司
主分类号: H01L21/329 分类号: H01L21/329;H01L29/861;H01L25/07
代理公司: 37232 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 代理人: 高小荷
地址: 251800 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 gpp 芯片 制造 超高频 高压 二极管 方法
【说明书】:

一种用GPP芯片制造超高频高压二极管的方法,步骤包括:(1)整列:将GPP芯片通过真空整列盘进行整列,使GPP芯片的PN面方向一致,将与芯片大小相当的圆形焊片通过真空整列盘进行整列;(2)治具组装:所述治具包括第一石墨盘、第二石墨盘和第三石墨盘,在最底部放置一其内控中放置有铜引线的第一石墨盘,本发明采用上述结构,使用带有芯片表面生长有硅绝缘材料技术制成并用玻璃保护表面的芯片,其表面钝化技术有效的固定了可移动离子,玻璃的绝缘强度高,产品的高温特性好,其高温下的反向漏电比原有的降低了一个数量级,失效率低可靠性高。

技术领域:

本发明涉及一种用GPP芯片制造超高频高压二极管的方法。

背景技术:

目前,高压二极管的制造方法是:合金焊接→线切割芯片→使用酸洗腐蚀芯片台面造型→组装焊接→碱腐蚀→清洗→涂覆PI胶→固化→压膜→后固化→电镀→测试打印→目检→包装的工艺流程,采用这种方法制造的高压二极管存在诸多问题:1、由于在制造过程中使用了酸腐蚀加碱腐蚀,其腐蚀量难以控制,芯片和金属材料一同清洗,金属离子沾污严重,再加上治具的沾污,芯片表面很难清洗干净,造成的高温特性差可靠性低;2、由于使用扩散片合金焊接,产生气泡很难排出,在切割后容易造成接触不良,在腐蚀时产生钻蚀形成孔洞,耐正向浪涌能力差;3、管芯在腐蚀后会有焊片的凸起部分,容易产生倒沿,使其耐反向特性降低,反向击穿失效风险高;4、只能生产0.5A以下的小电流高压二极管,大电流的高压二极管需要利用小电流的高压二极管并联实现,分支的正向压降不一致,其分流不同导致压降低的电流大工作温度过高降低寿命;5、制成使用了线切割、酸腐蚀、碱腐蚀、涂胶等流程,生产周期长,费油污水排放,污染环境。

发明内容:

本发明提供了一种用GPP芯片制造超高频高压二极管的方法,设计合理,可靠性高,耐正向浪涌能力强,反向击穿失效风险低,使用寿命长,生产过程对环境无污染,解决了现有技术中存在的问题。

本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案是:

一种用GPP芯片制造超高频高压二极管的方法,步骤包括:

(1)整列:将GPP芯片通过真空整列盘进行整列,使GPP芯片的PN面方向一致,将与芯片大小相当的圆形焊片通过真空整列盘进行整列;

(2)治具组装:所述治具包括第一石墨盘、第二石墨盘和第三石墨盘,在最底部放置一其内控中放置有铜引线的第一石墨盘,在第一石墨盘上放置第二石墨盘,第一石墨盘的内孔与第二石墨盘的内孔位置相对,在第二石墨盘的内孔中放入焊片,焊片与第一石墨盘内的铜引线相接触,根据所需要制造的二极管的耐压值来确定所需GPP芯片的个数,在第二石墨盘的内孔中间隔放入GPP芯片和焊片,最顶部为焊片,在第二石墨盘的顶部放置第三石墨盘,第三石墨盘的内孔与第二石墨盘的内孔位置相对,在第三石墨盘的内孔中放置铜引线,铜引线与焊片相接触;

(3)焊接:将治具放入隧道式烧结炉内加热,隧道式烧结炉内氮气流量:200-210L/H,温度为320-360℃,时间为10-12分钟;

(4)脱模:将治具从隧道式烧结炉中取出,将治具解体,取出焊接成型的PN结及引线;

(5)清洗:将焊接好的PN结及引线转移到清洗盘,使用丙酮清洗液进行清洗,然后进行超声清洗;

(6)烘干:将经过步骤(5)清洗后的焊接好的PN结及引线的铜导线在紫外灯箱下烘烤30-35分钟,温度80-85℃;

(7)塑封:将经过步骤(6)烘干的PN结及引线,使用EME1100RG环氧模塑料进行塑封,模温为180-185℃

(8)固化:将经过步骤(7)塑封的PN结及引线放入高温固化,温度为170-175℃,时间为8小时;

(9)电镀:将经过步骤(8)固化的PN结及引线通过滚镀方式进行电镀,镀层为锡,镀层厚度为4-7um;

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