[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710623201.0 申请日: 2017-07-27
公开(公告)号: CN107665883B 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 小泽梓 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。避免掩模设计变得繁琐并且抑制基于红外线的散射的对准标记的识别不良的产生。半导体基板包含具有形成于第1面的半导体元件的元件形成区域以及具有形成于上述第1面的绝缘体的元件分离区域;与半导体元件连接的第1布线被设置于半导体基板的第1面的一侧;在半导体基板的第2面设置第2布线。用于使第2布线与第1布线匹配的对准标记被设置于在半导体基板的第1面的一侧包含在设置于元件分离区域的绝缘体的延伸的范围内的区域。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:半导体基板,其包括具有形成于第1面的半导体元件的元件形成区域以及具有形成于上述第1面的绝缘体的元件分离区域;第1布线,其设置于上述半导体基板的上述第1面的一侧,与上述半导体元件连接;对准标记,其设置于在上述半导体基板的上述第1面的一侧包含于上述绝缘体的延伸的范围内的区域;以及第2布线,其设置于上述半导体基板的与上述第1面相反侧。
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