[发明专利]用于在第一衬底上制造第二衬底且去除第一衬底的设备

摘要

本申请提供了一种用于制造衬底的设备，包括沉积室壳体，其容纳生长衬底；供给喷嘴，其将用于在生长衬底上形成目标大尺寸衬底的沉积气体供应至沉积室壳体中；基座，其支撑生长衬底并且将生长衬底的后表面暴露于蚀刻气体；以及内衬，其连接至基座。内衬将蚀刻气体与沉积气体隔离，并且将蚀刻气体引向生长衬底的后表面。基座包括暴露生长衬底的后表面的中心孔以及支撑生长衬底的支撑突出物，支撑突出物从基座的限定了中心孔的内侧壁朝向中心孔的中心突出。

主权项

一种用于制造衬底的设备，所述设备包括：沉积室壳体，其容纳生长衬底；第一供应部，其将用于在生长衬底上形成目标衬底的沉积气体供应到沉积室壳体中；基座，其支撑生长衬底并暴露出生长衬底的后表面；内衬，其连接至基座；以及第二供应部，其向生长衬底的后表面供应蚀刻气体，其中，内衬将蚀刻气体与沉积气体隔离开，并且将蚀刻气体朝向生长衬底的后表面引导，其中，基座包括：中心孔，其暴露出生长衬底的后表面，以及支撑突出物，其支撑生长衬底，支撑突出物从基座的限定了中心孔的内侧壁朝向中心孔的中心突出。