[发明专利]上电复位电路及具有该上电复位电路的半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201710524514.0 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN108109653B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李炫哲 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/20 | 分类号： | G11C7/20;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;王朋飞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种上电复位电路以及具有该上电复位电路的半导体存储器装置。上电复位电路可以包括：参考电压生成电路，其被配置为使用外部输入的外部供给电压来生成参考电压；以及上电复位信号生成电路，其被配置为当外部供给电压增加到设定电平或以上时，通过感测参考电压的电位水平来生成上电复位信号。上电复位信号生成电路可以被配置为当参考电压基于温度变化而改变时控制感测电平以补偿参考电压的改变。 | ||
| 搜索关键词： | 复位 电路 具有 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种上电复位电路，其包括：参考电压生成电路，其被配置为基于外部供给电压生成参考电压；以及上电复位信号生成电路，其被配置为当所述外部供给电压增加到设定电平或以上时，通过感测所述参考电压的电位水平来生成上电复位信号，其中当所述参考电压基于温度变化而改变时，所述上电复位信号生成电路控制感测电平以补偿所述参考电压的改变。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710524514.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种K歌合唱录音的方法
- 下一篇：一种基于忆阻器的可编程模拟电路
