[发明专利]发光组件及发光组件的制造方法有效
申请号: | 201710521506.0 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN107591463B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 石崎顺也 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60 |
代理公司: | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人: | 许天易 |
地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光组件,包含窗口层兼支承基板及设置于窗口层兼支承基板上的发光层,发光层依序含有第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层,其中发光组件具有:经除去至少第一半导体层及活性层的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部而接与第一半导体层的第一奥姆电极、及设置于除去部而接与第二半导体层或窗口层兼支承基板的第二奥姆电极,其中在对应于为窗口层兼支承基板的发光层的相反侧的光提取面处的发光层的区域中,于较对应于发光层的区域更窄的范围设置有凹部,凹部的底面为经粗糙化。 | ||
搜索关键词: | 发光 组件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光组件,包含窗口层兼支承基板以及设置于该窗口层兼支承基板上的发光层,该发光层依序包含有第二半导体层、活性层及第一半导体层,且该第二半导体层为第二导电型,且该第一半导体层为第一导电型,其中该发光组件具有:经除去至少该第一半导体层及该活性层的除去部、该除去部以外的非除去部、设置于该非除去部而与该第一半导体层接触的第一奥姆电极、以及设置于该除去部而与该第二半导体层或该窗口层兼支承基板接触的第二奥姆电极,其中在对应于为该窗口层兼支承基板的该发光层的相反侧的光提取面处的该发光层的区域中,于较对应于该发光层的区域更窄的范围设置有凹部,该凹部的底面经粗糙化。
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