[发明专利]3D存储器的自适应操作在审
申请号: | 201710511496.2 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN107871520A | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | N.杨;J.袁;J.菲茨帕特里克 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 万里晴 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种三维非易失性存储器系统包括读出单元,所述读出单元被配置成用于读出块的多个可分别选择的部分的位线的位线电流和/或电压并且用于将对应结果与参考进行比较;以及调整单元,所述调整单元被配置成用于响应于对所述对应结果与所述参考的所述比较而单独地修改所述多个可分别选择的部分中的一个或多个可分别选择的部分的操作参数。 | ||
搜索关键词: | 存储器 自适应 操作 | ||
【主权项】:
一种三维非易失性存储器系统,包括:三维非易失性存储器块,所述三维非易失性存储器块包含多个可分别选择的部分,单独的可分别选择的部分包含垂直于衬底表面而延伸的多条位线;读出单元,所述读出单元被配置成用于读出所述块的所述多个可分别选择的部分的位线的位线电流和/或电压并且用于将针对单独的可分别选择的部分的读出的对应结果与参考进行比较;以及调整单元,所述调整单元与所述读出单元通信,所述调整单元被配置成用于响应于对所述块的所述多个可分别选择的部分中的一个或多个可分别选择的部分的对应结果与所述参考的所述比较而单独地修改所述块的所述多个可分别选择的部分中的所述一个或多个可分别选择的部分的操作参数。
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