[发明专利]3D存储器的自适应操作

权利要求书

1.一种三维非易失性存储器系统，包括：

多条位线，在衬底表面上方第一高度处沿着第一方向而延伸；

多条字线，在所述衬底表面上方第二高度处沿着第二方向而延伸，所述第二方向与所述第一方向正交；

多个存储器元件，其中所述多个存储器元件的每个在所述第一高度和所述第二高度之间在第三方向上延伸，其中所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向正交；

调整单元，所述调整单元被配置成基于所述多条字线和所述多条位线离驱动器电路的距离修改所述多个存储器元件的操作参数。

2.如权利要求1所述的三维非易失性存储器系统，其中，所述多个存储器元件位于存储器裸片中，并且所述调整单元位于控制器裸片中。

3.如权利要求1所述的三维非易失性存储器系统，其中，所述多条位线在第一水平方向上延伸，并且所述多条字线在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸。

4.如权利要求3所述的三维非易失性存储器系统，其中所述第三方向是垂直方向。

5.如权利要求1所述的三维非易失性存储器系统，还包括读出单元，所述读出单元被配置为读出所述多条位线的位线电流和/或位线电压以确定电压降。

6.如权利要求5所述的三维非易失性存储器系统，其中，所述调整单元被配置为基于所述电压降修改所述操作参数。

7.如权利要求1所述的三维非易失性存储器系统，其中，所述多个存储器元件是电阻式存储器元件。

8.如权利要求1所述的三维非易失性存储器系统，其中，所述多个存储器元件是相变存储器元件。

9.如权利要求8所述的三维非易失性存储器系统，其中，所述调整单元被配置成用于单独地修改所述多个存储器元件的编程电压和/或选择电压。

10.如权利要求1所述的三维非易失性存储器系统，进一步包括所述调整单元的温度输入，并且其中，所述调整单元被进一步配置成用于响应于所述温度输入而修改所述操作参数。

11.一种三维非易失性存储器，包括：

多条第一线，所述多条第一线在衬底表面上方的第一高度沿着第一方向延伸；

多条第二线，所述多条第二线在所述衬底表面上方的第二高度沿着第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向正交；

多个存储器元件，单独的存储器元件从在所述第一高度的第一线延伸到在所述第二高度的第二线；

读出单元，所述读出单元被配置成用于读出所述第一线的电流和/或电压并且用于将所述读出的结果与参考进行比较；以及

调整单元，所述调整单元与所述读出单元通信，所述调整单元被配置成用于基于所述多个存储器元件在所述衬底表面上方的高度响应于所述比较而修改所述多个存储器元件的操作参数。

12.如权利要求11所述的三维非易失性存储器，其中，所述调整单元被配置成用于响应于所述比较而修改所述多个存储器元件的编程电压。

13.如权利要求11所述的三维非易失性存储器，其中，所述调整单元被配置成用于响应于所述比较而修改所述多个存储器元件的读取电压。

14.如权利要求11所述的三维非易失性存储器，其中，所述多个存储器元件是电阻式存储器元件。

15.如权利要求14所述的三维非易失性存储器，其中，所述多个存储器元件是相变存储器元件。