[发明专利]一种超低阈值的门控淬灭电路

摘要

本发明公开了一种超低阈值的门控淬灭电路，包括充电管MOS管M2、淬灭管MOS管M1和多个MOS管。本发明的超低阈值门控淬灭电路，可以检测微弱的雪崩电流信号，可以把光（暗）载流子触发的雪崩电流瞬间放大至超过一个NMOS阈值电压，使SPAD两端的电压由雪崩击穿电压以上降至雪崩击穿电压以下，进而淬灭雪崩电流。与传统的电压放大相比较，本发明电路的响应时间更短，因而更能有效降低死时间和后脉冲效应。

主权项

一种超低阈值的门控淬灭电路，其特征是，包括充电管MOS管M2、淬灭管MOS管M1、MOS管M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10和M11；MOS管M2与MOS管M1的漏极共连至A点及MOS管M3的源极；MOS管M1的源极接电源VDD；MOS管M2的源极接地；MOS管M2的栅极接ARM信号；MOS管M1的栅极接E点作为淬灭电路的输出STOP，同时连接至MOS管M11的漏极、MOS管M4的漏极及恒流源I的输出端，恒流源I的输入端连接至电源ADD；MOS管M3的栅极接信号，MOS管M3的漏极连接至B点及MOS管M7的源极、MOS管M5的漏极，MOS管M5源极接地；MOS管M11的源极接电源ADD，MOS管M11的栅极接信号；MOS管M4源极接地，MOS管M4的栅极接D点及MOS管M7、M9漏极共接点；MOS管M9的源极接电源VDD，MOS管M9的栅极连接点C及MOS管M10的栅极和漏极、MOS管M8的漏极，MOS管M10的源极接电源VDD；MOS管M7的栅极与MOS管M8的栅极、MOS管M5的栅极与MOS管M6的栅极共连接至VC，MOS管M8的源极连接至MOS管M6的漏极，MOS管M6的源极接地。