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[发明专利]隔离继电器、封装结构、电池包电压检测系统及新能源汽车-CN202310829377.7在审
发明人：汪堃;史广达;丁万新 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03K17/785 文献下载
摘要：本申请公开一种隔离继电器、封装结构、电池包电压检测系统及新能源汽车，包括：原边裸片、原边副边线圈、副边裸片以及隔离场效应晶体管；所述原边副边线圈与所述原边裸片以及所述副边裸片电连接；所述副边裸片的输出端连接到所述隔离场效应晶体管。所述隔离继电器采用芯片封装体上的线圈来传递能量和控制信号，利用电磁感应原理，让电信号通过原边电感线圈变成磁信号，再通过副边电感线圈将磁信号转换成电信号。由此，在一颗芯片封装的内部，实现原边副边的高压磁隔离信号传递功能。本发明实施例提供的隔离继电器中副边电路不需要额外提供电源。副边线圈上感生出的电信号，经过整流电路之后，转换成直流电平，提供给副边电路使用。
隔离继电器封装结构电池电压检测系统新能源汽车

[发明专利]可任意调节电流比例的双路并联电路及其电流调节方法-CN202310863599.0在审
发明人：孙彪;丁万新;刘慧明 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H05B45/397 文献下载
摘要：本发明提供一种可任意调节电流比例的双路并联电路及其电流调节方法，涉及线性恒流控制技术领域，该电路包括：第一恒流电路、第二恒流电路和电流调节电路；其中，第一恒流电路和第二恒流电路并联，电流调节电路的参考端与第一恒流电路的输出端连接；电流调节电路的输出端与第二恒流电路的输出端连接，电流调节电路的输出端还与第二恒流电路的参考端连接；电流调节电路用于调节第一恒流电路和第二恒流电路的电流比例。本发明能够对并联的两路恒流电路实现任意电流比例的调节。
任意调节电流比例并联电路及其方法

[发明专利]一种单电源供电的运算放大器及模拟集成电路-CN202310547634.8在审
发明人：严仁辉;史广达;丁万新 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请公开一种单电源供电的运算放大器及模拟集成电路，其特征在于，包括：电源电压、电流源、偏置电压、PMOS管、NMOS管、电容、第一偏置电路、第二偏置电路以及参考电压，其中所述参考电压的阈值被预先设置为小于所述运算放大器能够输出的最小电压或者大于所述运算放大器能够输出的最大电压；通过如此设计能够所述运算放大器可以输出从参考地开始摆动的电压，直接应用于单端输入的后级电路处理，减小失调误差，提高测量系统的准确度。
一种电源供电运算放大器模拟集成电路

[发明专利]一种电平移位器及电平移位电路-CN202310552083.4在审
发明人：陈炳天;史广达;丁万新 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本申请公开一种电平移位器及电平移位电路，其特征在于，包括：电源转换模块、地转换模块、采样电路、前置状态存储电路以及加速电路模块；所述电源转换模块用于将低压电压域转换到高压电压域；所述地转换模块用于将低压接地端电压转换到高压接地端电压；所述采样电路用于检测所述电平移位器的状态；所述前置状态存储电路用于保存所述电平移位器的上一状态；所述加速电路模块用于提升所述电平移位器的电压转换速度；通过如此设计，解决了由于节点寄生电容充电导致的延时问题，可以使电路快速地实现低压到高压的转换。
一种电平移位电路

[发明专利]一种数字信号隔离器以及数字隔离传输方法-CN202310552089.1在审
发明人：史广达;丁万新 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本申请公开一种数字信号隔离器以及数字隔离传输方法，该数字信号隔离器可以包括：发射电路、接收电路以及设置在所述发射电路与所述接收电路之间的隔离电路，其中，所述发射电路包括整形电路和单端转差分电路，所述接收电路包括比较电路以及输出驱动电路，所述单端转差分电路的输入端与所述整形电路的输出端相连，所述隔离电路的输入端与所述单端转差分电路的输出端相连，所述比较电路的输入端与所述隔离电路的输出端相连，输出驱动电路的输入端与比较电路的输出端相连。通过上述数字信号隔离器，可以显著提高信号传输速率，满足超高速的应用需求。
一种数字信号隔离器以及数字隔离传输方法

[发明专利]一种与带隙基准电路互启动的低压差线性稳压器电路-CN202310551449.6在审
发明人：李科锦;史广达;丁万新 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种与带隙基准电路互启动的低压差线性稳压器电路，包括：预启动电路；运算放大器，同相输入端与预启动电路的输出端连接；第一NMOS管，栅极与运算放大器的输出端连接，源极与带隙基准电路的输入端连通，生成初始输出电压对带隙基准电路进行预启动；带隙基准电路的输出端与预启动电路连通，预启动后对该LDO电路进行再启动，获得最终的输出电压，实现LDO电路与带隙基准电路的互启动。此发明解决了传统LDO电路无法自身提供稳定的偏置电流，且传统的带隙基准型LDO电路的带载能力和瞬态响应性能差的问题，采用了特殊的互启动机制，简化了预启动和关断机制，提升了该LDO电路的带载能力和瞬态响应性能，保证了稳定的输出电压，也保障了系统其他模块的正常工作。
一种基准电路启动低压线性稳压器

[发明专利]一种抑制闪烁噪声上变频过程的压控振荡器-CN201811516669.0有效
发明人：邓晓东;丁万新;杨峰;陶晶晶;陈东坡 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H03B1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制闪烁噪声上变频过程的压控振荡器，涉及集成电路领域，所述振荡器包括与数字控制字输出端口连接的数字控制负阻单元、并联开关变容管阵列、谐振腔并联电容阵列，与数字控制负阻单元连接的固定负阻单元、谐振腔并联电感，所述数字控制负阻单元还与谐振腔并联电容阵列连接。本发明解决了现有技术中压控振荡器的近频相位噪声恶化的问题，使得本发明的压控振荡器与传统的传统压控振荡器相比近频相位噪声至少提高了6dB。
一种抑制闪烁噪声变频过程压控振荡器

[发明专利]一种环形压控振荡器-CN201811516658.2有效
发明人：史广达;丁万新;陶晶晶;邓晓东;陈东坡 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本发明提供一种环形压控振荡器，涉及集成电路领域，所述振荡器包括依次连接的偏置产生单元、起振检测单元以及环形振荡器单元，所述偏置产生单元包括电流源Iptat，电流源Iref，MOS管MP0、MP1、MN0以及电阻R，所述起振检测单元包括MOS管MP2、MN1以及互补开关Φ1和Φ2，所述环形振荡器单元包括MOS管MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、MN7、MN8、MN9、MN10以及反向器INV0、INV1、INV2。解决了现有技术中振荡频率随环境温度变化以及工艺变化产生的频率偏移问题，得到更稳定的振荡频率；同时可以快速起振，满足系统对振荡器启动速度的要求。
一种环形压控振荡器

[发明专利]浮动电源轨生成电路与生成方法-CN202211655078.8在审
发明人：郝允强;史广达;丁万新 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本公开实施例中提供了浮动电源轨生成电路与生成方法，生成电路包括：偏置电路用于根据外接参考电流生成偏置电流，并结合供电电源确定参考电压，以提供至高压放大器的第一输入端；高压放大器用于根据偏置电压产生电压放大信号；高速调节电路用于根据电压放大信号输出浮动电源轨生成电路的输出端电压；分压反馈电路用于对采集的输出端电压分压处理，以生成反馈电压，并将反馈电压反馈至高压放大器的第二输入端；高速调节电路还用于自调节输出端电压，以使高压放大器的第一输入端的电压与高压放大器的第二输入端的电压相同。通过本公开的处理方案，具有较少的硬件资源，基于高压的供电电源产生精准电压，具有较强的调节能力，且不会产生电压偏移。
浮动电源生成电路方法

[发明专利]一种瞬态增强的数字信号整形电路-CN201811521421.3有效
发明人：陶晶晶;丁万新;史广达;邓晓东;陈东坡 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03K5/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种瞬态增强的数字信号整形电路，属于集成电路技术领域。增强电路包括输入信号端、滤波器、输出信号端与场效应晶体管；输入信号端以VIN端口表示，输入信号端与输出信号端电性连接，输出信号端以VOUT表示，输入信号端与输出信号端连接电路中串联有电压端口、尾电流源与漏电流端；滤波器串联于输入信号端与电压端口中V1端口之间，利用在输入信号上升、下降沿来到时，通过电流沿场效应晶体管中漏电流端的输出，来瞬时增大比较器的尾电流，从而保证比较器电路中电流信号的低延迟传输，并在电路输入信号稳定为高、低电平时，其电流通过电压端口与场效应晶体管的尾电流很小，提高了电流驱动能力。
一种瞬态增强数字信号整形电路

[发明专利]一种带隙基准电压源-CN202111546775.5有效
发明人：史广达;严仁辉;丁万新 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供了一种带隙基准电压源，包括：Brokaw带隙基准核心电路，采用电流源结构，用于产生与温度无关的基准电压；高阶温度补偿电路，连接于Brokaw带隙基准核心电路和输出级之间，用于在输出级产生与温度无关的电流，使用该电流进行高阶温度补偿；运算放大器和共源共栅电流镜，运算放大器的同相输入端连接Brokaw带隙基准核心电路，反相输入端和输出端连接共源共栅电流镜；括动态元件匹配电路，连接共源共栅电流镜，用于消除共源共栅电流镜引入的失调电压。本发明的带隙基准电压源具有低温漂、低失调电压特性，其温度系数小于1ppm/℃，输出电压标准差小于300μV，可为ADC等高精度模拟电路提供高精度电压基准源。
一种基准电压

[发明专利]一种电路结构及射频放大器电路-CN202211655027.5在审
发明人：汪堃;丁万新 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本申请涉及一种电路结构及射频放大器电路，其特征在于，包括：共源极MOS管、共栅极MOS管以及控制电路；所述共源极MOS管用于将输入信号放大形成与所述输入信号成正比的漏电流；所述共源极MOS管的漏极与所述共栅极MOS管的源极连接，所述共栅极MOS管将漏电流传输到所述共栅极MOS管漏极输出；所述共栅极MOS管漏极的输出与所述控制电路连接；所述控制电路用于控制所述电路结构工作在不同状态。通过如此设计，在不增加主放大器通路电流的基础上，仅通过增加一个控制电路，即可显著提高放大器的三阶交调点；另外，该控制电路也可以使得整个电路关断，从而在不需要断开电源的情形下降低功耗。
一种电路结构射频放大器

[发明专利]一种可扩展输入范围的比较器电路-CN202111546772.1有效
发明人：张识博;恽廷华;丁万新 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种可扩展输入范围的比较器电路，包括：第一级比较电路，连接供电电压VCC，用于将差分电压转换成差分电流；第二级比较电路，连接第一级比较电路，用于将差分电流进行镜像和比较；第一级比较电路和第二级比较电路的第一公共端连接至差分信号的正端电压VP，第二公共端连接至负端电压VN；第三级比较电路，上端连接第二级比较电路，下端接至电路参考地GND，用于将第一级比较电路和第二级比较电路的差分输出电压的供电电压VCC～正端电压VP或负端电压VN的电压阈，转换到正常的供电电压VCC～电路参考地GND的电压阈。本发明支持正负压比较器输入，扩展常规比较器的输入范围，具有共模输入范围宽，集成度高，灵活度高等特点。
一种扩展输入范围比较电路

[发明专利]一种用于数字隔离器的隔离电容互连绑定线断线检测电路-CN202211429163.2在审
发明人： 丁万新 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01R31/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于数字隔离器的隔离电容互连绑定线断线检测电路，包括：隔离器电路；其包括发射器和接收器，发射器输出端的隔离电容与接收器输入端的隔离电容分别通过第一绑定线和第二绑定线连接；发射器包括施密特触发器、调制器、发射驱动器A、发射驱动器B、逻辑与门A和逻辑与门B；接收器包括第一开关管、第二开关管、放大与解调器和驱动器；还包括接口与测试电路，其输入端连接至时钟信号CLK和数据信号DATA，输出端分别连接至逻辑与门A和逻辑与门B的输入端，以及第一开关管和第二开关管的栅极。本发明能够在量产测试时在单侧针对隔离电容互连绑定线断线的问题进行测试，以筛选出该类问题的不良品，避免产生不确定性后果。
一种用于数字隔离器隔离电容互连绑定断线检测电路

[发明专利]一种用于提高数字隔离器芯片耐压值的隔离电容-CN201811516650.6有效
发明人： 丁万新;史广达;陶晶晶;陈东坡 -专利权人：上海川土微电子有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种用于提高数字隔离器芯片耐压值的隔离电容，涉及数字隔离器芯片领域，所述隔离电容包括下极板、上极板以及依次设置于下极板和上极板之间的SiO2层和钝化层，所述钝化层为SiO2和Si3N4的叠加，所述钝化层的厚度为2～3um，SiO2层的厚度为8～9um。本发明解决了现有技术中电容隔离器芯片的耐压值不能满足增强型隔离耐压要求的问题。
一种用于提高数字隔离器芯片耐压隔离电容

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