[发明专利]一种沟槽式晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710487846.6 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107302021B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种优化的沟槽式晶体管及其制造方法，通过在衬底表面形成条形沟槽，利用沟槽侧壁及底部形成沟道层，并在沟槽内壁处形成第一栅电极介质层，以及在衬底表面形成第二栅电极介质层，在沟槽内填充栅电极材料形成第一栅电极，同时在沟槽两端分别形成围绕沟槽条形两侧及底部的环形源极和漏极，在衬底上形成覆盖沟槽的第二栅电极，使第二栅电极在作为第一栅电极的导电引出端的同时，还通过与第一栅电极共用位于衬底中的源极、漏极和沟道层，形成两个并联的晶体管，从而既能增强晶体管的性能，同时又避免了FINFET制作中复杂的非平面工艺，因此更易于工艺集成的简化和成本的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 沟槽 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽式晶体管，其特征在于，包括：/n水平形成于衬底表面的条形沟槽，所述沟槽内填充有栅电极材料，以形成第一栅电极；/n衬底中沿沟槽侧壁及底部形成的沟道层；/n衬底中源极和漏极分别位于沟槽两端的沟道层外侧，且各自围绕条形沟槽的两侧及底部；/n衬底上将沟槽完全覆盖的第二栅电极，所述第二栅电极通过其底面与第一栅电极顶面连接；/n其中，所述第二栅电极与第一栅电极通过共用位于衬底中的源极、漏极和沟道层，形成两个并联的晶体管，所述第二栅电极同时还作为第一栅电极的导电引出端。/n
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