[发明专利]一种面阵列的封装方法

摘要

本发明公开一种面阵列的封装方法，其中，包括通过熔融锡将面阵列封装用的单相Cu₆Sn₅焊球与焊盘连接起来的；本发明采用单相Cu₆Sn₅球形粉末作为焊球，在连接过程中只通过扩散反应达到连接的目的，焊球的高度基本不发生变化，连接过程耗时短，参与反应的Sn量比较少，冷却比较均匀，产生的应力比较小，此外，Cu₆Sn₅焊球能提高焊点的抗电迁移性能以及抗高温性能，完成互连后焊球形状不发生明显变化；而且在进行封装时，所用的阵列不需镀上Ni层和和Au层，大大提高了制备阵列的效率，降低成本，节约资源。

主权项

1.一种面阵列的封装方法，其特征在于，包括通过熔融锡将面阵列封装用的单相Cu₆Sn₅焊球与焊盘连接起来的步骤；所述单相Cu₆Sn₅焊球的具体制备步骤包括：A1、在惰性气体保护下，按Cu和Sn的原子比为6:5，感应熔炼Cu块和Sn块得到母合金；B1、将所述母合金切割成小块，对切成小块的母合金进行气雾化制粉；C1、在惰性气体的保护下，对焊球粉末进行180‑220℃的加热处理，处理3‑5h后得到单相的Cu₆Sn₅焊球粉末；所述通过熔融锡将面阵列封装用的Cu₆Sn₅焊球与焊盘连接起来的步骤具体包括：A、在第一焊盘阵列上涂覆一层焊锡膏或粘附一层含有助焊剂的锡箔；B、在所述第一焊盘阵列的每个焊盘上均预植一个同样目数范围下的Cu₆Sn₅焊球；C、将另一涂覆有焊锡膏或粘附有助焊剂锡箔的第二焊盘阵列与所述第一焊盘阵列对齐，并用夹具压紧，形成焊盘‑焊锡膏/锡箔‑Cu₆Sn₅焊球‑焊锡膏/锡箔‑焊盘结构；D、在230‑250℃的条件下对所述焊盘‑焊锡膏/锡箔‑Cu₆Sn₅焊球‑焊锡膏/锡箔‑焊盘结构进行回流处理，冷却后取出所述夹具，制得封装结构体；所述第一焊盘阵列和第二焊盘阵列的材料均为铜。