[发明专利]一种基于台面多区复合JTE终端结构的器件及其制作方法在审
申请号: | 201710470828.7 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN107275382A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 徐少东;汤益丹;白云;杨成樾;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/772 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种基于台面多区复合JTE终端结构的器件制作方法,其中包括在晶圆片表面制作有源区,淀积氧化物层并进行图形化,形成台面区开孔;刻蚀氧化物层以及晶圆片材料,形成终端台面;在终端台面表面淀积氧化物层并进行图形化,形成晶圆片材料凹槽开孔;刻蚀氧化物层和晶圆片材料,形成晶圆片材料凹槽;淀积氧化物层,进行JTE区开孔,形成JTE终端;淀积氧化物层,进行截止环开孔,形成截止环;在器件正面淀积氧化物层形成场氧保护,在器件背面形成阴极;对器件正面的氧化物进行图形化,在器件正面形成阳极。本发明还提供一种基于台面多区复合JTE终端结构的器件。本发明能够降低JTE离子注入剂量的灵敏度,提高器件的耐压能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 台面 复合 jte 终端 结构 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种基于台面多区复合JTE终端结构的器件制作方法,其特征在于,包括:步骤一、在晶圆片表面制作有源区,淀积第一氧化物层并进行图形化,形成台面区开孔;步骤二、刻蚀所述第一氧化物层以及晶圆片材料,形成终端台面;步骤三、在所述终端台面的表面淀积第二氧化物层并进行图形化,形成晶圆片材料凹槽开孔;步骤四、刻蚀所述第二氧化物层和晶圆片材料,形成晶圆片材料凹槽;步骤五、淀积第三氧化物层,进行JTE区开孔,离子注入形成JTE终端;步骤六、淀积第四氧化物层,进行截止环开孔,离子注入形成截止环;步骤七、在所述器件正面淀积第五氧化物层形成场氧保护,在所述器件背面形成阴极;步骤八、对所述器件正面的所述第五氧化物进行图形化,在所述器件正面形成阳极。
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