[发明专利]一种沟槽栅RC‑IGBT及其制备方法

摘要

本发明公开了一种沟槽栅RC‑IGBT，包括从上到下依次设置的N+发射极、P+发射极、P‑base区、N‑层，P‑base区上表面还设置有P+发射极，P+发射极与N+发射区并排设置，N‑层上表面刻蚀有若干个沟槽，沟槽内设置有SiO2栅氧层，SiO2栅氧层上淀积有多晶硅栅，P+发射极、N+发射极及P‑base区位于沟槽的同侧，N+发射极及P‑base区的侧壁均与沟槽侧壁外表面相接触，N‑层的背面设置有N缓冲层，N缓冲层的背面设置有P+集电极，P+集电极的一侧设置有N+集电极，N+集电极的上表面设置有若干个P柱区。本发明解决了现有技术中存在的传统RC‑IGBT正向工作时电流分布不均匀，及反向工作时反向恢复峰值电流过大，新结构的RC‑IGBT大幅降低了器件的导通压降。

主权项

一种沟槽栅RC‑IGBT，其特征在于，包括从上到下依次设置的N+发射极(2)、P‑base区(3)、N‑层(4)，所述P‑base区(3)上表面还设置有P+发射极(1)，所述P+发射极(1)与N+发射区(2)并排设置，所述N‑层(4)上表面刻蚀有若干个沟槽(9)，所述沟槽(9)内设置有SiO2栅氧层，所述SiO2栅氧层上淀积有多晶硅栅，所述P+发射极(1)、N+发射极(2)及P‑base区(3)位于沟槽(9)的同侧，所述N+发射极(2)及P‑base区(3)的侧壁均与沟槽(9)侧壁外表面相接触，所述N‑层(4)的背面设置有N缓冲层(5)，所述N缓冲层(5)的背面设置有P+集电极(6)，所述P+集电极(6)的一侧设置有N+集电极(8)，所述N+集电极(8)的上表面设置有若干个P柱区(7)。