[发明专利]不规则硅片的腐蚀方法

摘要

本发明公开了一种不规则硅片的腐蚀方法，属于半导体领域。该方法包括将不规则硅片放置在腐蚀模具的上盖的开口区；开口区包括贯穿顶部的腐蚀孔和用于固定不规则硅片的凹槽；将腐蚀模具的底座旋入腐蚀模具的上盖的螺纹孔；腐蚀模具的底座包括内柱和底盖，内柱上设置有螺纹；将腐蚀模具放入腐蚀溶液，对不规则硅片上与腐蚀孔对应的部位进行腐蚀；将腐蚀模具的底座从腐蚀模具的上盖的螺纹孔中旋出，将不规则硅片取下，得到腐蚀后的不规则硅片；解决了在产品研发阶段，验证产品过程中对不规则硅片单独腐蚀时，容易损坏不规则硅片的正面图形和侧边整体结构的问题；达到了使切片后的不规则硅片能够进行湿法腐蚀，降低验证阶段的流片成本的效果。

主权项

一种不规则硅片的腐蚀方法，其特征在于，所述方法包括：将不规则硅片放置在腐蚀模具的上盖的开口区；所述不规则硅片是整个晶圆切割后得到的，所述腐蚀模具的上盖包括顶部和螺纹孔，所述开口区包括贯穿所述顶部的腐蚀孔和用于固定所述不规则硅片的凹槽；将所述腐蚀模具的底座旋入所述腐蚀模具的上盖的螺纹孔；所述腐蚀模具的底座包括内柱和底盖，所述内柱上设置有螺纹，所述内柱的直径等于所述螺纹孔的直径；将所述腐蚀模具放入腐蚀溶液，对所述不规则硅片上与所述腐蚀孔对应的部位进行腐蚀；将所述腐蚀模具的底座从所述腐蚀模具的上盖的螺纹孔中旋出，将所述不规则硅片取下，得到腐蚀后的不规则硅片。