[发明专利]不规则硅片的腐蚀方法在审
| 申请号： | 201710452890.3 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107275203A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 汪祖民;朱恩成 | 申请（专利权）人： | 龙微科技无锡有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/67 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 不规则 硅片 腐蚀 方法 | ||
1.一种不规则硅片的腐蚀方法，其特征在于，所述方法包括：
将不规则硅片放置在腐蚀模具的上盖的开口区；所述不规则硅片是整个晶圆切割后得到的，所述腐蚀模具的上盖包括顶部和螺纹孔，所述开口区包括贯穿所述顶部的腐蚀孔和用于固定所述不规则硅片的凹槽；
将所述腐蚀模具的底座旋入所述腐蚀模具的上盖的螺纹孔；所述腐蚀模具的底座包括内柱和底盖，所述内柱上设置有螺纹，所述内柱的直径等于所述螺纹孔的直径；
将所述腐蚀模具放入腐蚀溶液，对所述不规则硅片上与所述腐蚀孔对应的部位进行腐蚀；
将所述腐蚀模具的底座从所述腐蚀模具的上盖的螺纹孔中旋出，将所述不规则硅片取下，得到腐蚀后的不规则硅片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽不贯穿所述腐蚀模具的上盖的顶部，所述腐蚀孔被所述凹槽包围。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将不规则硅片放置在腐蚀模具的上盖内的开口区，包括：
利用临时键合胶将玻璃片粘到所述不规则硅片的正面；
将密封垫圈放置在所述腐蚀模具的上盖内的所述凹槽内；
将所述不规则硅片的背面放置在所述密封垫圈上，所述不规则硅片的背面上待腐蚀的区域与所述腐蚀孔的形状对应。
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述腐蚀模具的上盖的螺纹孔为全螺纹结构。
5.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述腐蚀模具的上盖和底座的材料为耐腐蚀材料。
6.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述凹槽的顶角部位为圆形凹槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
