[发明专利]一种TFT基板及制作方法在审

专利信息
申请号: 201710437147.0 申请日: 2017-06-09
公开(公告)号: CN107331668A 公开(公告)日: 2017-11-07
发明(设计)人: 王纯阳 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种TFT基板及其制作方法,其中,所述制作方法包括提供一基板,在基板上形成遮光层,在遮光层上形成第一缓冲层,在第一缓冲层上形成第二缓冲层,在第二缓冲层上形成多晶硅层,通过同一光罩工序对遮光层、第一缓冲层、第二缓冲层和多晶硅层进行刻蚀,以一次性形成遮光图案、第一缓冲图案、第二缓冲图案和多晶硅图案,遮光图案、第一缓冲图案、第二缓冲图案和多晶硅图案四者的图案形状相同,且呈U型结构,以通过遮光图案对第一缓冲图案、第二缓冲图案和多晶硅图案进行遮光,第一缓冲图案、第二缓冲图案和多晶硅图案三者的表面平整,遮光层的宽度大于TFT基板中TFT的宽度。
搜索关键词: 一种 tft 制作方法
【主权项】:
一种TFT基板,其特征在于,包括基板、依次形成在基板上的遮光图案、第一缓冲图案、第二缓冲图案和多晶硅图案;所述遮光图案、所述第一缓冲图案、所述第二缓冲图案和所述多晶硅图案通过同一光罩工序形成,所述遮光图案、所述第一缓冲图案、所述第二缓冲图案和所述多晶硅图案四者的图案形状相同,且呈U型结构,以通过所述遮光图案对所述第一缓冲图案、所述第二缓冲图案和所述多晶硅图案进行遮光;所述第一缓冲图案、所述第二缓冲图案和所述多晶硅图案三者的表面平整,所述遮光图案的宽度大于所述TFT基板中TFT的宽度。
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