[发明专利]一种TFT基板及制作方法在审
申请号: | 201710437147.0 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107331668A | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 王纯阳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种TFT基板及其制作方法,其中,所述制作方法包括提供一基板,在基板上形成遮光层,在遮光层上形成第一缓冲层,在第一缓冲层上形成第二缓冲层,在第二缓冲层上形成多晶硅层,通过同一光罩工序对遮光层、第一缓冲层、第二缓冲层和多晶硅层进行刻蚀,以一次性形成遮光图案、第一缓冲图案、第二缓冲图案和多晶硅图案,遮光图案、第一缓冲图案、第二缓冲图案和多晶硅图案四者的图案形状相同,且呈U型结构,以通过遮光图案对第一缓冲图案、第二缓冲图案和多晶硅图案进行遮光,第一缓冲图案、第二缓冲图案和多晶硅图案三者的表面平整,遮光层的宽度大于TFT基板中TFT的宽度。 | ||
搜索关键词: | 一种 tft 制作方法 | ||
【主权项】:
一种TFT基板,其特征在于,包括基板、依次形成在基板上的遮光图案、第一缓冲图案、第二缓冲图案和多晶硅图案;所述遮光图案、所述第一缓冲图案、所述第二缓冲图案和所述多晶硅图案通过同一光罩工序形成,所述遮光图案、所述第一缓冲图案、所述第二缓冲图案和所述多晶硅图案四者的图案形状相同,且呈U型结构,以通过所述遮光图案对所述第一缓冲图案、所述第二缓冲图案和所述多晶硅图案进行遮光;所述第一缓冲图案、所述第二缓冲图案和所述多晶硅图案三者的表面平整,所述遮光图案的宽度大于所述TFT基板中TFT的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的