[发明专利]一种QLED器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710414183.5 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN107204401A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 宋莹莹 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种QLED器件及其制作方法，涉及显示技术领域，解决了现有的QLED器件的空穴注入与传输的性能较差，导致QLED器件的性能较差的技术问题。该QLED器件包括基板，以及依次层叠设置在基板的ITO电极层、P掺杂的介质层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极层。本发明提供的QLED器件应用于QLED。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种QLED器件，其特征在于，包括：基板，以及依次层叠设置在所述基板的ITO电极层、P掺杂的介质层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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