[发明专利]一种晶圆封装方法和结构在审

专利信息
申请号: 201710374953.8 申请日: 2017-05-24
公开(公告)号: CN107240552A 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 任玉龙;孙鹏 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L23/485
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 代理人: 马永芬
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种晶圆封装方法和结构,在晶圆的背面刻蚀出轮廓与线路形貌对应的凹槽,凹槽位于晶圆的焊盘的上方;在凹槽底部打孔,将凹槽与焊盘连通;在晶圆背部的外表面淀积绝缘层,刻蚀沉积在焊盘表面的绝缘层;在晶圆背面进行电镀,电镀材料填充凹槽及其与焊盘连通的孔;对晶圆背面进行抛光,抛光至绝缘层,使得凹槽间不连通;在晶圆背面淀积保护层,在位于凹槽上部的保护层上开窗,在开窗处制备凸点,凸点与凹槽内的电镀材料连接。该晶圆封装方法和结构,先在晶圆上刻蚀与线路形貌对应的凹槽,再对凹槽进行电镀、抛光,抛光完成后实现了焊盘与凸点的线路连接,这样使得线路表面平整、粗糙度小,线路无侧刻现象且芯片表面平整度高。
搜索关键词: 一种 封装 方法 结构
【主权项】:
一种晶圆封装方法,其特征在于,包括以下步骤:在晶圆内形成若干芯片单元,在一个或多个所述芯片单元的背面刻蚀出轮廓与线路形貌对应的凹槽,所述凹槽位于所述芯片单元的焊盘的上方;在所述凹槽底部打孔,将所述凹槽与所述焊盘连通;在晶圆背部的外表面淀积绝缘层,刻蚀沉积在所述焊盘表面的绝缘层;在所述晶圆背面进行电镀,电镀材料填充所述凹槽及其与焊盘连通的孔;对所述晶圆背面进行抛光,抛光至所述绝缘层,使得所述凹槽间不连通;在所述晶圆背面淀积保护层,在位于凹槽上部的所述保护层上开窗,在所述开窗处制备凸点,所述凸点与所述凹槽内的电镀材料连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710374953.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top