[发明专利]一种晶圆封装方法和结构在审
申请号: | 201710374953.8 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN107240552A | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 任玉龙;孙鹏 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/485 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人: | 马永芬 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆封装方法和结构,在晶圆的背面刻蚀出轮廓与线路形貌对应的凹槽,凹槽位于晶圆的焊盘的上方;在凹槽底部打孔,将凹槽与焊盘连通;在晶圆背部的外表面淀积绝缘层,刻蚀沉积在焊盘表面的绝缘层;在晶圆背面进行电镀,电镀材料填充凹槽及其与焊盘连通的孔;对晶圆背面进行抛光,抛光至绝缘层,使得凹槽间不连通;在晶圆背面淀积保护层,在位于凹槽上部的保护层上开窗,在开窗处制备凸点,凸点与凹槽内的电镀材料连接。该晶圆封装方法和结构,先在晶圆上刻蚀与线路形貌对应的凹槽,再对凹槽进行电镀、抛光,抛光完成后实现了焊盘与凸点的线路连接,这样使得线路表面平整、粗糙度小,线路无侧刻现象且芯片表面平整度高。 | ||
搜索关键词: | 一种 封装 方法 结构 | ||
【主权项】:
一种晶圆封装方法,其特征在于,包括以下步骤:在晶圆内形成若干芯片单元,在一个或多个所述芯片单元的背面刻蚀出轮廓与线路形貌对应的凹槽,所述凹槽位于所述芯片单元的焊盘的上方;在所述凹槽底部打孔,将所述凹槽与所述焊盘连通;在晶圆背部的外表面淀积绝缘层,刻蚀沉积在所述焊盘表面的绝缘层;在所述晶圆背面进行电镀,电镀材料填充所述凹槽及其与焊盘连通的孔;对所述晶圆背面进行抛光,抛光至所述绝缘层,使得所述凹槽间不连通;在所述晶圆背面淀积保护层,在位于凹槽上部的所述保护层上开窗,在所述开窗处制备凸点,所述凸点与所述凹槽内的电镀材料连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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