[发明专利]一种改善射频开关特性的MOSFET结构有效
| 申请号： | 201710368791.7 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN106960879B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善射频开关特性的MOSFET结构，在不改变MOSFET的SOI结构前提下，通过将源极(S)20的金属和漏极(D)30的不同层的金属逐层递减,可以减小漏极D和源极S的金属产生的寄生电阻，改善MOSFET射频开关的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 射频 开关 特性 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
一种改善射频开关特性的MOSFET结构，其特征在于：在不改变MOSFET的SOI结构前提下，在漏极(D)和源极(S)的金属上再分层叠加放置长度递减的金属。
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