[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置。根据现有技术的半导体装置具有如下问题钳位输出电压的钳位电压不能根据电源电压自适应地变化，因此不可能将半导体芯片的发热降低到足够低的水平。根据一个实施例的所述半导体装置包括用于控制输出晶体管(13)的导通和截止的驱动电路(10)以及当输出电压Vout达到钳位电压时控制所述输出晶体管(13)的导通状态的过压保护电路(12)，并且所述过压保护电路(12)具有将钳位电压设定为与电源电压VDD成比例地变化的电路结构。

主权项

一种半导体装置，包括：被供应第一电源的第一电源端子；被供应第二电源的第二电源端子；输出电压检测端子，所述输出电压检测端子被连接到负载电路的另一端，所述负载电路的一端被连接到所述第一电源端子；栅极线，所述栅极线被连接到在所述负载电路的所述另一端和所述第二电源端子之间所连接的输出晶体管的栅极；驱动电路，其控制所述输出晶体管；以及过压保护电路，所述过压保护电路基于在所述第二电源端子和所述输出电压检测端子之间的电压差来控制所述输出晶体管，其中，所述过压保护电路包括：第一电流源，所述第一电流源生成具有与在所述第一电源和所述第二电源之间的电压差成比例的值的基准电流，第二电流源，所述第二电流源基于在所述第二电源端子和所述输出电压检测端子之间的电压差来生成比较电流，以及过压保护晶体管，所述过压保护晶体管向所述栅极线供应过压保护电流，所述过压保护电流具有取决于在所述基准电流和所述比较电流之间的电流差的值。