[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

被供应第一电源的第一电源端子；

被供应第二电源的第二电源端子；

输出电压检测端子，所述输出电压检测端子被连接到负载电路的另一端，所述负载电路的一端被连接到所述第一电源端子；

栅极线，所述栅极线被连接到在所述负载电路的所述另一端和所述第二电源端子之间所连接的输出晶体管的栅极；

驱动电路，其控制所述输出晶体管；以及

过压保护电路，所述过压保护电路基于在所述第二电源端子和所述输出电压检测端子之间的电压差来控制所述输出晶体管，

其中，

所述过压保护电路包括：

第一电流源，所述第一电流源生成具有与在所述第一电源和所述第二电源之间的电压差成比例的值的基准电流，

第二电流源，所述第二电流源基于在所述第二电源端子和所述输出电压检测端子之间的电压差来生成比较电流，以及

过压保护晶体管，所述过压保护晶体管向所述栅极线供应过压保护电流，所述过压保护电流具有取决于在所述基准电流和所述比较电流之间的电流差的值。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述输出电压检测端子和所述第二电源端子之间的电压差与所述第一电源的电压相同的状态下，将所述基准电流设定为所述比较电流的大约两倍。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一电流源包括：

基准电流设定电阻器，所述基准电流设定电阻器的一端被连接到所述第二电源端子，

第一晶体管，所述第一晶体管的漏极被连接到所述基准电流设定电阻器的另一端，所述第一晶体管的源极被连接到所述第一电源端子，并且所述第一晶体管的栅极和漏极被彼此连接，以及

第二晶体管，所述第二晶体管的源极被连接到所述第一电源端子，所述第二晶体管的漏极被连接到所述过压保护晶体管的栅极，并且所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极被共同连接，

所述第二电流源包括：

比较电流设定电阻器，所述比较电流设定电阻器的一端被连接到所述输出电压检测端子，

第三晶体管，所述第三晶体管的漏极被连接到所述比较电流设定电阻器的另一端，所述第三晶体管的源极被连接到所述第二电源端子，并且所述第三晶体管的栅极和漏极被彼此连接，以及

第四晶体管，所述第四晶体管的源极被连接到所述第二电源端子，所述第四晶体管的漏极被连接到所述过压保护晶体管的栅极，并且所述第四晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极被共同连接，并且

所述过压保护晶体管具有被连接到所述栅极线的漏极以及被连接到所述第一电源端子的源极。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，包括：

二极管，所述二极管具有被连接到所述比较电流设定电阻器的所述另一端的阳极以及被连接到所述第三晶体管的漏极的阴极。