[发明专利]一种电子器件介电衬底的表面修饰方法

摘要

本发明属于电子器件技术领域，具体为一种电子器件介电衬底的表面修饰方法。本发明是在介电衬底表面直接生长二维结构的六方氮化硼薄膜，厚度在1‑100nm之间，用于电子器件半导体与介电层之间界面的修饰。本发明通过控制原料浓度，达到等离子体气相沉积过程中生长与刻蚀的准平衡，从而实现二维结构的六方氮化硼薄膜在介电表面的非催化生长。本发明方法简单、成本低，应用中不需要转移工艺、与半导体工艺兼容、整个过程在低温下操作。本发明还能够在三维表面共型修饰上六方氮化硼薄膜，且可大面积制备。本发明能够提高载流子在电子器件半导体和介电层界面的迁移率，同时能够降低半导体和介电层界面的接触热阻，提高导热性质和器件稳定性。

主权项

一种电子器件介电衬底的表面修饰方法，其特征在于，具体步骤如下：第一步，将介电衬底放置在等离子体化学气相沉积系统的反应腔体内；系统通入载气并控制气压在1mTorr~100Torr范围，加热至200~800℃，通入生长六方氮化硼薄膜的反应前驱体；第二步，在材料的生长区域施加等离子体，功率为0.1～1000瓦特，持续时间为1～200分钟；第三步，停止加热，自然冷却至室温，介电衬底表面得到二维结构的六方氮化硼薄膜；第四步，将修饰有六方氮化硼薄膜的介电衬底直接用于电子器件制备。