[发明专利]一种电子器件介电衬底的表面修饰方法

权利要求书

1.一种电子器件元件的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

第一步，将介电衬底放置在等离子体化学气相沉积系统的反应腔体内；系统通入载气并控制气压在1mTorr~100Torr范围，加热至200~800℃，通入生长六方氮化硼薄膜的反应前驱体；

第二步，在材料的生长区域施加等离子体，功率为0.1～1000瓦特，持续时间为1～200分钟；

第三步，停止加热，自然冷却至室温，介电衬底表面得到二维结构的六方氮化硼薄膜；

第四步，将修饰有六方氮化硼薄膜的介电衬底直接用于电子器件制备；

所述的介电衬底为氮化硅、二氧化铪、三氧化二铝，或者带有三维结构的上述介电衬底；

所述生长六方氮化硼薄膜的反应前驱体为N₂、BNH₆、NH₃、BH₃、B₃N₃H₆、BNH₄、BH₂BH₂；

所述的电子器件为具有介电层和半导体材料界面的电学元件；所述的半导体材料选自过渡金属二硫化物、石墨烯二维材料，硅、锗、硒、氮化镓、砷化镓、磷化镓、磷化铟无机半导体材料，或并五苯、金属酞菁、金属卟啉、聚噻吩有机半导体材料；

所述的反应前驱体通入方式为：气态前驱体通过气体流量计通入反应腔体；固态前驱体放入通过加热缓慢升华的方式通入反应腔体；液态前驱体放入通过加热挥发或载气带入的方式通入反应腔体；

控制前驱体浓度为每分钟通入0.0001-10mol，达到等离子体气相沉积过程中生长与刻蚀的准平衡，以实现二维结构的六方氮化硼薄膜在介电表面的非催化大面积生长。

2.根据权利要求1所述的电子器件元件的制备方法，其特征在于，所述的载气选自氢气、氩气、氮气、氧气、氦气、空气，或上述气体的混合气体。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件元件的制备方法，其特征在于，二维结构的六方氮化硼薄膜的厚度在1-100nm之间。