[发明专利]半导体激光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710339449.4 申请日: 2017-05-15
公开(公告)号: CN107394578B 公开(公告)日: 2019-09-03
发明(设计)人: 北嶋久义 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 章蕾
地址: 日本国京都府京*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供能够改善波导构造的温度特性而实现稳定的发光图案及高输出化的半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置(1)包括:n型披覆层(5),积层在衬底(2)上;活性层(6),积层在n型披覆层(5)上;p型披覆层(7),积层在活性层(6)上;及多个波导构造(8),形成在p型披覆层(7)上,具有俯视喇叭形状的隆起缘。在该构成中,在相互相邻的波导构造(8)之间形成有分断构造(29),该分断构造(29)包括:槽(30),分断活性层(6);及散热材料(34),填充在该槽(30)中,且具有比半导体层(4)的热导率高的热导率。
搜索关键词: 半导体 激光 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体激光装置,包括:衬底;第一导电型的披覆层,积层在衬底上;活性层,积层在所述第一导电型的披覆层上;第二导电型的披覆层,积层在所述活性层上;及多个波导构造,形成在所述第二导电型的披覆层上,且具有俯视喇叭形状的隆起缘;在相互相邻的所述波导构造之间形成有分断构造,该分断构造包括:槽,分断所述活性层;及散热材料,填充在该槽中,且具有比包含所述第一导电型的披覆层、所述活性层及所述第二导电型的披覆层的半导体层的热导率高的热导率;从与衬底表面垂直的方向俯视且沿所述槽的延伸方向上,所述分断构造的长度比所述波导构造的长度短。
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