[发明专利]芯片层叠塑料封装的MEMS惯性器件的开封方法

摘要

本发明公开了一种能够暴露器件中加速度计MEMS、陀螺仪MEMS及ASIC芯片的芯片层叠塑料封装的MEMS惯性器件的开封方法。该开封方法包括如下获得器件的初步内部结构信息、获得空腔位置及芯片的详细分布情况信息，并根据详细分布情况信息，对于ASIC芯片在上层且加速度计MEMS及陀螺仪MEMS在下一层以及ASIC芯片在下层且加速度计MEMS及陀螺仪MEMS在上层的叠层结构的MEMS惯性器件分别进行化学腐蚀处理后检查分析，可以将加速度计MEMS、陀螺仪MEMS及共用的ASIC芯片等分别暴露出来，并且可以保证封装空腔内的器件结构完好无损，满足芯片层叠塑料封装的MEMS惯性器件的内部目检的需求。

主权项

1.一种芯片层叠塑料封装的MEMS惯性器件的开封方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1：获得待测的所述MEMS惯性器件的初步内部结构信息，所述初步内部结构信息是使用X射线检查技术观察获得；/n步骤2：根据所述初步内部结构信息获得所述MEMS惯性器件的空腔位置及芯片的详细分布情况信息，确认加速度计MEMS、陀螺仪MEMS及ASIC芯片的具体位置，所述详细分布情况信息是使用金相切片技术制作剖面获得，制作过程中采用金相显微镜或扫描电子显微镜对剖面制作的效果进行监测；/n步骤31：根据所述详细分布情况信息，对于ASIC芯片在上层且加速度计MEMS及陀螺仪MEMS在下一层的叠层结构的MEMS惯性器件，先通过第一化学腐蚀液将ASIC芯片上方的塑封料局部去除，露出ASIC芯片及与其相连的键合引线，进行检查分析；在观察完上层的ASIC芯片后，将所述MEMS芯片浸泡在第二化学腐蚀液中，去除封帽硅片与器件硅片之间的键合层，使封帽硅片与器件硅片分离，露出空腔中的加速度计MEMS和陀螺仪MEMS，进行检查分析；/n步骤32：根据所述详细分布情况信息，对于ASIC芯片在下层且加速度计MEMS及陀螺仪MEMS在上层的叠层结构的MEMS惯性器件，使用第一化学腐蚀液腐蚀去除ASIC芯片上方与加速度计MEMS及陀螺仪MEMS的密封结构之间的塑封料，以及加速度计MEMS和陀螺仪MEMS上方的塑封料，将含ASIC芯片的结构、含加速度计MEMS和陀螺仪MEMS的密封结构分离，并将ASIC芯片暴露出来检查分析；再使用第二化学腐蚀液去除封帽硅片及制作有加速度计MEMS、陀螺仪MEMS的器件硅片的密封结构之间的键合层，使封帽硅片与器件硅片分离，露出空腔内的加速度计MEMS、陀螺仪MEMS，进行检查分析；/n所述第二化学腐蚀液是盐酸，所述盐酸的浓度为36wt％～38wt％；所述键合层为铝锗薄膜键合层或含铅玻璃键合层。/n