[发明专利]校准端接电阻的半导体存储器装置及端接电阻的校准方法有效
| 申请号： | 201710303471.3 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107527650B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 郑汉基;崔训对;白真赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4091 | 分类号： | G11C11/4091 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了校准端接电阻的半导体存储器装置及其端接电阻的校准方法。存储器装置包括第一片内端接电路、第二片内端接电路、电压发生器和代码生成器。第一片内端接电路可以对应于数据输入缓冲器。第二片内端接电路可以对应于命令/地址缓冲器。电压发生器可以产生参考电压。代码生成器可以响应于参考电压产生片内端接电路中所选择的一个片内端接电路的电阻校准代码。电阻校准代码可以校准所选择的片内端接电路的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 端接 电阻 半导体 存储器 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一片内端接电路，对应于数据输入缓冲器；第二片内端接电路，对应于命令/地址缓冲器；电压发生器，被构造为产生参考电压；以及代码生成器，被构造为响应于参考电压而产生第一片内端接电路和第二片内端接电路中所选择的一个片内端接电路的电阻校准代码，其中，电阻校准代码校准所选择的片内端接电路的电阻值。
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