[发明专利]一种硅片水平生长设备和方法有效
| 申请号： | 201710300122.6 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107217296B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 丁建宁;袁宁一;徐嘉伟;沈达鹏;徐晓东;孙涛;王书博 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C30B15/06 | 分类号： | C30B15/06;C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 213164*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅片水平生长设备和方法，该硅片水平生长设备包括外壳，形成腔体；坩埚，位于所述腔体中，具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面；入料组件，向所述熔料区加入硅原料，且加料速率可调；加热组件，包括两个可移动的加热器，以一定间距配置于所述坩埚的上下两侧；保温组件，对所述腔体的温度进行保持；气体流通组件，包括射流器、导气石墨件、石英抽气管和石英冷却管，其中，所述射流器位于所述第二溢流面上方，所述导气石墨件装配于所述坩埚的底部，所述石英冷却管嵌套在所述石英抽气管外，所述石英抽气管与所述导气石墨件相连；以及隔热挡板，位于所述第二溢流面上方，将所述加热组件和所述射流器相隔离，使所述腔体分为冷热两个温度区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 水平 生长 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片水平生长设备，其特征在于，包括：外壳，形成腔体；坩埚，位于所述腔体中，具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面；入料组件，向所述熔料区加入硅原料，且加料速率可调；加热组件，包括两个可移动的加热器，该两个可移动的加热器近距离配置于所述坩埚的上下两侧，并且不与所述坩埚直接接触；保温组件，对所述腔体的温度进行保持；气体流通组件，包括射流器、导气石墨件、石英抽气管和石英冷却管，其中，所述射流器位于所述第二溢流面上方，所述导气石墨件装配于所述坩埚的底部，所述石英冷却管嵌套在所述石英抽气管外，所述石英抽气管与所述导气石墨件相连；以及隔热挡板，位于所述第二溢流面上方，将所述加热组件和所述射流器相隔离，使所述腔体分为冷热两个温度区域。
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