[发明专利]由溶体形成晶片的装置及方法有效
| 申请号： | 201380060132.7 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104797746B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 法兰克·辛克莱;彼德·L·凯勒曼 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | C30B15/06 | 分类号： | C30B15/06;C30B15/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用以由熔体形成晶片的装置及方法，所述装置包括坩埚，用以容纳所述熔体。所述装置也可包括冷块和晶体拉动器，冷块用以在熔体的表面附近给予一低温区域，所述低温区域用以产生所述晶片的结晶前缘，晶体拉动器用以沿着所述熔体的表面的拉动方向拉动所述晶片，其中，拉动方向的垂线与所述结晶前缘形成小于90°且大于0°的角度。本申请配置的冷块能够达到相同或大于传统装置的拉动速度，而不需要通过传统装置来超出过冷却程度至熔体的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 浮动 成长 芯片 装置 | ||
【主权项】：
1.一种由熔体形成晶片的装置，包括：坩埚，用以容纳所述熔体；冷块，用以在所述熔体的表面附近给予一低温区域，所述低温区域用以产生所述晶片的结晶前缘；以及晶体拉动器，用以沿着所述熔体的所述表面顺着拉动方向拉动所述晶片，其中，所述冷块包括：V型结构，所述V型结构平行于所述熔体的所述表面，所述V型结构包括第一部分与连接至所述第一部分的第二部分，其中，所述第一部分用以在相对于所述拉动方向的垂线的第一角度产生第一结晶前缘，其中所述第二部分用以在相对于所述垂线的第二角度产生对应的第二结晶前缘，所述第二角度的大小相同于所述第一角度，所述第一角度和所述第二角度的大小为小于90°且至少45°，其中所述第一结晶前缘的成长沿着与所述第一结晶前缘垂直的第一方向以成长速度Vg进行，所述第二结晶前缘的成长沿着与所述第二结晶前缘垂直的第二方向以成长速度Vg进行，使得所述晶片的拉动速度Vp大于所述第一结晶前缘的所述成长速度Vg及所述第二结晶前缘的所述成长速度Vg，其中Vp＝Vg/cosθ，θ分别表示所述第一角度和所述第二角度的绝对值；以及其中所述晶片在所述第一结晶前缘与所述第二结晶前缘的交点附近的区域中具有缺陷，且由所述晶片切割而得的基板不包含具有所述缺陷的所述区域。
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