[发明专利]一种基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器有效
| 申请号： | 201710287611.2 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106961071B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 梁磊;张建;张星;秦莉;曾玉刚;宁永强;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/20 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器，包括有源层，以及分别生长于有源层上表面和下表面的上波导层和下波导层，有源层的折射率与上波导层或者下波导层的折射率的差值小于或者等于阈值，使得基模强光场从有源层扩散至所述下波导层。有源区与波导区折射率之差对光场具有限制作用，并影响光场分布，因此，通过限制有源层的折射率与所述上波导层或者所述下波导层的折射率的差值在阈值内，使得有源层的光场限制因子的大小得到限制，形成弱波导，有源层光场强度分布不再是最大值，基模强光场分布由原来的有源层扩散至上波导层和下波导层，形成大尺寸基模光斑，提高了饱和输出功率和光束质量，具有工艺简单、性能稳定、成本低的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 有源 波导 半导体 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器，其特征在于，包括有源层，以及分别生长于所述有源层上表面和下表面的上波导层和下波导层，所述有源层的折射率与所述上波导层或者所述下波导层的折射率的差值小于或者等于阈值，使得基模强光场分布从所述有源层扩散至所述上波导层以及所述下波导层，其中，所述阈值的范围为0-3％，所述有源层包括：无掺杂势阱与无掺杂势垒周期性交错生长构成的多量子阱；生长于所述多量子阱上表面以及下表面的无掺杂边界层。/n
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