[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201710273779.8 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107785468B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 伊藤洋平;麦野遥一 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够利用简单的构成，比以往提高光提取效率的半导体发光元件。本发明提供一种半导体发光元件(1)，包含：基板(2)；基板(2)上的金属层(3)；金属层(3)上的透光导电层(4)；透光导电层(4)上的绝缘层(30)；以及III‑V族半导体构造(5)，形成在绝缘层(30)上，包含发光层(8)、p型半导体层(9)及n型半导体层(10)；且p型半导体层(9)的p型GaP接触层(11)的折射率n1、绝缘层(30)的折射率n2及透光导电层(4)的折射率n3满足关系式：n1＞n2＜n3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包含：基板；所述基板上的金属层；所述金属层上的透光导电层；所述透光导电层上的绝缘层；以及半导体层，形成在所述绝缘层上，包含发光层、相对于所述发光层配置在所述基板侧的第1导电型层、及相对于所述发光层配置在所述基板的相反侧的第2导电型层；且所述第1导电型层的折射率n1、所述绝缘层的折射率n2及所述透光导电层的折射率n3满足关系式：n1＞n2＜n3，所述绝缘层具有选择性地使所述第1导电型层露出的接触孔，在所述接触孔配置着与所述第1导电型层电连接的接触金属，所述透光导电层的端缘朝比所述接触孔的周缘更靠所述绝缘层上的区域侧后退而配置。
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