[发明专利]二氧化硅纳米腔阵列电极作为离子通道的应用在审

专利信息
申请号: 201710272486.8 申请日: 2017-04-24
公开(公告)号: CN107195521A 公开(公告)日: 2017-09-22
发明(设计)人: 卢小泉;姬玲霞;何静;王晶;陈海咏;姚敏;汪天胜;魏红娟;陕多亮 申请(专利权)人: 西北师范大学
主分类号: H01J37/26 分类号: H01J37/26;H01J37/04;B82Y15/00
代理公司: 北京中恒高博知识产权代理有限公司11249 代理人: 钟国
地址: 730070 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了二氧化硅纳米腔阵列电极作为离子通道的应用,该二氧化硅纳米腔阵列电极由ITO导电玻璃以及孔道垂直于ITO导电玻璃表面的SiO2纳米腔阵列组成。本发明利用SiO2纳米腔阵列电极模拟生物膜离子通道,在不同pH值条件下,介孔SiO2表面荷电性质的差异调控离子在限域环境中的转移。运用SiO2纳米腔阵列电极作为离子通道,能更好的研究离子转移的动力学过程,有助于更好地认识液/液界面离子转移机理,认识生命过程中钾离子和钠离子膜转移机理,对揭示生命奥秘具有重要的意义。
搜索关键词: 二氧化硅 纳米 阵列 电极 作为 离子 通道 应用
【主权项】:
二氧化硅纳米腔阵列电极作为离子通道的应用。
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说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

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