[发明专利]用于碳化硅器件的碳基接触结构在审
| 申请号： | 201710267613.5 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107452605A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | R·K·乔施;R·埃斯特夫;M·卡恩;G·安格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 郑立柱,张宁 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成接触结构的方法包括提供碳化硅衬底，具有形成在衬底中并延伸至衬底的主表面的高掺杂碳化硅接触区域。形成碳基接触区域，与高掺杂碳化硅接触区域直接接触并延伸至主表面。在碳基接触区域上形成导体，从而碳基接触区域插入在导体与高掺杂碳化硅接触区域之间。用于形成碳基接触区域的热预算被维持在诱使高掺杂碳化硅接触区域的金属硅化的水平之下。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 器件 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种形成用于半导体器件的接触结构的方法，包括：提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有在所述衬底中形成并且延伸至所述衬底的主表面的高掺杂碳化硅接触区域；形成碳基接触区域，所述碳基接触区域与所述高掺杂碳化硅接触区域直接接触并且延伸至所述主表面；在所述碳基接触区域上形成导体，从而所述碳基接触区域插入在所述导体与所述高掺杂碳化硅接触区域之间，其中用于形成所述碳基接触区域的热预算被维持在低于诱使所述高掺杂碳化硅接触区域的硅化的水平之下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
