[发明专利]金属硼化物和金属硅化物的沉积

摘要

公开了一种用于向基材上沉积金属膜的方法。特别是，该方法包括向基材上脉冲输送金属卤化物前体以及向基材上脉冲输送还原性前体。该金属卤化物前体和该还原性前体之间的反应形成金属膜。具体地，该方法公开了形成金属硼化物或金属硅化物膜。

主权项

一种形成金属硼化物或金属硅化物的方法，包括：在反应室中提供用于处理的基材；向该基材上进行金属卤化物前体沉积，该进行金属卤化物前体沉积的步骤包括：向该基材上脉冲输送金属卤化物前体；和从该反应室中清除过量的金属卤化物前体；以及向该基材上进行还原性前体沉积，该进行还原性前体沉积的步骤包括：向该基材上脉冲输送还原性前体；和从该反应室中清除过量的还原性前体；其中，该金属卤化物前体包括以下的一种：五溴化钽(TaBr5)、五碘化钽(TaI5)、四溴化铌(NbBr4)、五溴化铌(NbBr5)、四碘化铌(NbI4)、五碘化铌(NbI5)、四氟化锆(ZrF4)、四氯化锆(ZrCl4)、四溴化锆(ZrBr4)、四碘化锆(ZrI4)、四氟化铪(HfF4)、四氯化铪(HfCl4)、四溴化铪(HfBr4)、四碘化铪(HfI4)、五氟化钼(MoF5)、六氟化钼(MoF6)、五氯化钼(MoCl5)、六氯化钼(MoCl6)、五溴化钼(MoBr5)、六溴化钼(MoBr6)、五碘化钼(MoI5)或六碘化钼(MoI6)；其中金属卤化物前体和还原性前体之间的反应形成了膜，该膜包含以下物质中的至少一种：二硼化钽(TaB2)、二硼化铌(NbB2)、二硼化铪(HfB2)、二硼化锆(ZrB2)、硼化钼(MoB)、硅化钽(TaSi2)、硅化铌(NbSi2)、硅化铪(HfSi2)、硅化锆(ZrSi2)或二硅化钼(MoSi2)；其中该金属前体沉积步骤重复预定次数；且其中该还原性前体沉积步骤重复预定次数。