[发明专利]用于产生自对准的掩蔽层的方法有效
| 申请号： | 201710236661.8 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107293479B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | H.阿斯曼;F.布劳恩;M.丹克尔曼;S.德林;K.弗里德里希;U.格奇克斯;A.格赖纳;R.鲁道夫;J.施奈德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/266;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于产生自对准的掩蔽层的方法。根据不同的实施例，一种方法可以具有如下内容：在第一层中在预先限定的位置处形成被埋置的带电区域，使得被埋置的带电区域在第一层之上产生具有横向不均匀的场分布的电场；以及在使用所述场分布的情况下，在第一层上方形成第二层，使得第二层的结构与被埋置的带电区域的位置相互关联。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 对准 掩蔽 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，其具有：•在第一层中在预先限定的位置处形成被埋置的带电区域，使得所述被埋置的带电区域在所述第一层之上产生具有横向不均匀的场分布的电场；以及•在使用所述场分布的情况下，在所述第一层上方形成第二层，使得所述第二层的结构与所述被埋置的带电区域的位置相互关联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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