[发明专利]用于产生自对准的掩蔽层的方法

权利要求书

1.一种方法，其具有：

•在第一层中在预先限定的位置处形成被埋置的带电区域，使得所述被埋置的带电区域在所述第一层之上产生具有横向不均匀的场分布的电场；以及

•在使用所述场分布的情况下，在所述第一层上方形成第二层，使得所述第二层的结构与所述被埋置的带电区域的位置相互关联。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第一层具有电绝缘的材料，或者由该电绝缘的材料构成。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，所述第一层具有半导电的材料，或者由该半导电的材料构成。

4.根据权利要求2或3所述的方法，

其中，所述形成被埋置的带电区域具有对所述第一层的掺杂，其中所述被埋置的带电区域是所述第一层的经掺杂的区域。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中，所述形成被埋置的带电区域具有形成空间电荷区，使得所述空间电荷区限定所述被埋置的带电区域。

6.根据权利要求5所述的方法，此外还具有：

利用电磁辐射来辐照所述第一层，加热所述第一层和/或将电压施加到所述第一层上，使得提高由所述空间电荷区产生的电场的场强。

7.根据权利要求1至6之一所述的方法，

其中，所述形成被埋置的带电区域具有：在衬底的表面处形成所述带电区域，并且紧接着将覆盖层施加到所述衬底的所述表面上，以埋置所述带电区域。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中，所述衬底是硅晶片，并且其中，所述覆盖层是外延硅层。

9.根据权利要求1至8之一所述的方法，

其中，所述第二层具有电活性材料、优选地电活性聚合物，所述电活性材料受所述被埋置的带电区域的所述电场影响。

10.根据权利要求1至8之一所述的方法，

其中，所述形成第二层具有：以被结构化的方式施加介电粒子，其中所述介电粒子由于所述电场而部分地粘附在所述第一层处。

11.根据权利要求1至8之一所述的方法，

其中，所述形成第二层具有：

•确定所述电场的横向不均匀的场分布；以及

•在使用所确定的场分布的情况下，形成所述第二层。

12.根据权利要求11所述的方法，

其中，在使用所述所确定的场分布的情况下，所述形成第二层借助激光辅助沉积进行。

13.根据权利要求1至12之一所述的方法，

其中，进行所述形成第二层，使得所述第二层掩蔽所述第一层，其中所述第一层的在所述被埋置的带电区域之上的区域不含所述第二层。

14.根据权利要求13所述的方法，此外还具有：

借助作为掩蔽层的所述第二层，向所述第一层的在所述被埋置的带电区域之上的所述区域进行掺杂。

15.根据权利要求1至12之一所述的方法，此外还具有：

借助所述第二层形成掩蔽层，使得所述掩蔽层掩蔽所述第一层，其中所述第一层的在所述被埋置的带电区域之上的区域不含所述掩蔽层。

16.根据权利要求15所述的方法，此外还具有：

借助所述掩蔽层，向所述第一层的布置在所述被埋置的带电区域之上的区域进行掺杂。

17.一种方法，其具有：

•向半导体晶片的多个第一区域进行掺杂，使得在所述第一区域的每个区域中都形成空间电荷区，其中所述第一区域以预先限定的横向图案并排地布置；

•将半导体层施加到所述半导体晶片上，使得所述第一区域被遮盖，其中由相应的空间电荷区产生的具有横向场分布的电场穿过所述半导体层的露出的表面；

•在使用所述横向场分布的情况下，在所述半导体层的露出的表面上方形成被结构化的掩蔽层，使得所述半导体层的多个第二区域不含所述掩蔽层，其中横向重叠地在所述多个第一区域的每一个第一区域之上分别布置所述多个第二区域的一个第二区域；以及

•在使用所述掩蔽层的情况下，向所述半导体层的所述多个第二区域进行掺杂。