[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板有效
| 申请号： | 201710229754.8 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN107104106B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 艾飞 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，在底层导电层上依次连续沉积一第一绝缘层及一绝缘薄膜，然后在绝缘薄膜上形成层间功能层后，在绝缘薄膜上形成第二绝缘层，绝缘薄膜的膜质和晶体结构与第二绝缘层相同，使对第二绝缘层、绝缘薄膜及第一绝缘层进行干法刻蚀形成一贯穿第二绝缘层、绝缘薄膜及第一绝缘层的过孔时，过孔的侧壁在膜层之间的分界面处不会出现刻蚀倒角，从而避免沉积在过孔内的顶层导电层发生断裂，确保TFT基板的电路稳定性，提高TFT基板的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | tft 制作方法 基板 | ||
【主权项】：
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成底层导电层(20)；在所述底层导电层(20)上依次连续沉积第一绝缘层(30)及绝缘薄膜(40)；在所述绝缘薄膜(40)上形成层间功能层(50)；在绝缘薄膜(40)及层间功能层(50)上沉积第二绝缘层(60)；对第一绝缘层(30)、绝缘薄膜(40)、及第二绝缘层(60)进行干法刻蚀，形成贯穿第一绝缘层(30)、绝缘薄膜(40)、及第二绝缘层(60)的过孔(61)，所述过孔(61)暴露出底层导电层(20)的部分；在第二绝缘层(60)上形成顶层导电层(70)，所述顶层导电层(70)通过所述过孔(61)与底层导电层(20)接触；所述绝缘薄膜(40)的膜质和晶体结构与第二绝缘层(60)相同；所述绝缘薄膜(40)的材料与第二绝缘层(60)相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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