[发明专利]一种直拉单晶硅方法在审
| 申请号： | 201710188098.1 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108660509A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04;C30B30/04;C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种直拉单晶硅方法，包括以下步骤：提供表面生长有氘掺杂氮化硅的硅片；将所述硅片与多晶硅碎块进行混合熔合；进行籽晶熔接；采用加磁场直拉法形成单晶硅锭。本发明还提供一种晶圆的形成方法，采用单晶硅锭作为原始材料形成晶圆，其中，所述单晶硅锭采用上述直拉单晶硅方法形成。本发明的直拉单晶硅方法可以较精确地控制硅单晶棒中的氮及氘浓度以及获得良好的掺杂均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉单晶硅 单晶硅锭 硅片 碎块 掺杂均匀性 表面生长 硅单晶棒 原始材料 氮化硅 多晶硅 直拉法 晶圆 熔合 熔接 种晶 籽晶 磁场 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种直拉单晶硅方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供表面生长有氘掺杂氮化硅的硅片；将所述硅片与多晶硅碎块进行混合熔合；进行籽晶熔接；采用加磁场直拉法形成单晶硅锭。
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