[发明专利]一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法有效
| 申请号： | 201510216828.5 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104790026B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 陈红荣;胡动力;何亮;徐云飞 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，包括以下步骤：(1)提供坩埚，将单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部，得到籽晶层；在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制温度，使得熔融状态的硅料在单晶硅籽晶上继承单晶硅籽晶的晶向结构进行生长，制得类单晶硅锭；(2)取出类单晶硅锭，在类单晶硅锭底部的籽晶位置处进行切割，得到一整块籽晶，籽晶顶部大小和形状与类单晶硅锭底部大小和形状基本相同；(3)将步骤(2)得到的籽晶铺设在坩埚底部，按照步骤(1)的方法制得类单晶硅锭。本发明提供的方法不会导致籽晶出现崩边缺角的现象，同时不会在籽晶中引入新的拼接缝，制得的类单晶硅锭位错少，质量好，大大降低了铸造类单晶的籽晶成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铸造 类单晶用 籽晶 重复 利用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)提供坩埚，将单晶硅籽晶铺设在所述坩埚底部，得到籽晶层；在所述籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制温度，使得所述熔融状态的硅料在所述单晶硅籽晶上继承所述单晶硅籽晶的晶向结构进行生长，制得类单晶硅锭；/n(2)取出所述类单晶硅锭，在所述类单晶硅锭底部的籽晶位置处进行切割，得到一整块籽晶，所述籽晶顶部大小和形状与所述类单晶硅锭底部大小和形状基本相同；/n(3)得到一整块籽晶后，将籽晶进行切边皮以将籽晶上的多晶区域切除，将所述籽晶铺设在坩埚底部，按照步骤(1)的方法制得类单晶硅锭。/n
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