[发明专利]一种超低正向电压整流器芯片的制备方法

摘要

本发明提供了一种超低正向电压整流器芯片的制备方法，涉及整流器技术领域。所述制备方法包括如下步骤：原硅片清洗；排纸源；预沉积；磷分片；第一次喷砂；磷源再推进；去氧化层；涂硼；硼扩散；硼分片；第二次喷砂；氧化；匀胶、曝光；沟槽腐蚀；玻璃钝化；镀镍层。本发明提供的超低正向电压整流器芯片的制备方法，使用底部中空型板舟代替传统平板型石英舟，加大了石英舟底部气体流动，使得位于石英舟底部区域的磷纸得到充分燃烧、分解，避免了磷纸燃烧不充分而产生的杂质堆积，对未附磷面的污染。

主权项

1.一种超低正向电压整流器芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、原硅片清洗：依次通过氢氟酸溶液、哈摩液、热纯水超声清洗工序对硅片进行清洗，然后烘干，完成原硅片清洗；步骤S2、排纸源：取底部中空型板舟作为承载工具，将浓度不低于90％的磷纸源、硅片以及氧化铝纸按序排布于所述承载工具内，并保证每一硅片的其中一面与所述磷纸源贴合而另一面与所述氧化铝纸贴合，完成排纸源；步骤S3、预沉积：将承载工具送入扩散炉中进行磷源分解，然后调整扩散炉温度，使其进行预沉积，在磷源分解和预沉积过程中，向扩散炉中通入氮气和氧气的第一混合气体；步骤S4、磷分片：将硅片放入温度不低于15℃的氢氟酸溶液中浸泡，浸泡时间为15‑24h，使得硅片自然分开；步骤S5、第一次喷砂：对硅片未进行磷源预沉积的一面进行喷砂，使用喷砂机对硅片进行研磨，去除量为25‑35μm；步骤S6、磷源再推进：将硅片的附磷面两两相对，整齐的放入石英舟内并推入扩散炉中进行磷源再推进，同时向扩散炉中通入氮气和氧气的第二混合气体；步骤S7、去氧化层：对硅片的附磷面进行喷砂以去除硅片表面的氧化层，去除量为3‑5μm；步骤S8、涂硼：将硅片放置涂硼匀胶机旋转台上进行涂硼，再将硅片置于加热板的滤纸上烤干，按摆放时的先后顺序取下硅片置于不锈钢盘的滤纸上，将硅片涂硼面与涂硼面两两相对叠放，在硅片的附磷面撒有铝粉，最后将硅片放置在石英舟上；步骤S9、硼扩散：将硅片送入扩散炉中进行硼扩散，同时向扩散炉中通入氮气和氧气的第三混合气体；步骤S10、硼分片：将硅片放入不低于15℃的氢氟酸中浸泡，时间10‑18h，使得硅片自然分开；步骤S11、第二次喷砂：使用喷砂机对硅片两面进行喷砂；步骤S12、氧化：将硅片送入扩散炉中进行氧化，同时向扩散炉中通入热纯水的水蒸气；步骤S13、匀胶、曝光：对硅片两面涂布光刻胶，进行曝光，使硅片表面形成所需要的图形；步骤S14、沟槽腐蚀：使用混合酸对硅片进行化学腐蚀，腐蚀时间为600‑900s；步骤S15、玻璃钝化：将硅片去胶后，送入玻璃液中进行电泳，完成硅片的玻璃钝化；步骤S16、镀镍层：对硅片两面均匀的镀上一层镍合金层，最终完成所述超低正向电压整流器芯片。