[发明专利]一种制备Si定点取代非晶纳米线阵列的方法

摘要

本发明涉及一种制备Si定点取代非晶纳米线阵列的方法，(1)将醋酸锌、氧化锗加入到水和乙二胺的混合溶剂中；(2)将步骤(1)得到的混合物经磁力搅拌得到均匀溶液；(3)将单晶Si片进行预处理，然后洗涤、干燥；(4)在步骤(2)得到的均匀溶液中加入预处理好的单晶Si片，然后进行水热反应；(5)将反应产物冷却，洗涤、干燥，在Si片上得到最终产物。与现有技术相比，本发明制备方法新颖，重复性好，产品性质稳定，具有更高的比表面积、表面活性和光利用效率，可广泛应用于光电器件、太阳能电池、锂离子电池和超级电容器等诸多储能领域。

主权项

1.一种制备Si定点取代Zn2GeO4非晶纳米线阵列的方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)将醋酸锌、氧化锗加入到水和乙二胺的混合溶剂中，所述的醋酸锌和氧化锗的质量比为1.0‑2.0，水和乙二胺的体积比为1.0‑2.0，醋酸锌在混合溶剂中的浓度为0.03～0.05M；(2)将步骤(1)得到的混合物经磁力搅拌得到均匀溶液，控制磁力搅拌速率为500～1000r/min，控制温度为20～30℃，搅拌时间0.5‑2h；(3)将单晶Si片进行预处理，然后洗涤、干燥；(4)在步骤(2)得到的均匀溶液中加入预处理好的单晶Si片，然后进行水热反应，所述的水热反应的温度控制在120～180℃，反应时间为10～20h；(5)将反应产物冷却，洗涤、干燥，在Si片上得到最终产物。