[发明专利]n型CuO薄膜的制备方法、反型异质结在审
| 申请号： | 201710166387.1 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106884144A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 杨龙;谢致薇;郑之永;杨元政;陈先朝;张雅丽 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C25B1/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种n型CuO薄膜的制备方法，包括S)将铜靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到n型CuO薄膜；所述反应磁控溅射的溅射功率为40～60W。与现有技术相比，本发明通过改变溅射过程中的参数从而对所制备薄膜的导电类型进行调控，通从而使沉积的CuO薄膜出现氧空位，呈现n型导电，所制备得到的n型CuO薄膜属于电子导电，其电子迁移率更高，导电性较好，在光照下产生的光生电子寿命长，在内建电场的作用下容易有效分离，减小了复合率；并且可与p型硅形成的异质结具有良好的整流特征，在光解水制氢中可有效地对载流子进行分离，提高效率。 | ||
| 搜索关键词： | cuo 薄膜 制备 方法 反型异质结 | ||
【主权项】：
一种n型CuO薄膜的制备方法，其特征在于，包括：S)将铜靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到n型CuO薄膜；所述反应磁控溅射的溅射功率为40～60W。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710166387.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
