[发明专利]n型CuO薄膜的制备方法、反型异质结在审
| 申请号： | 201710166387.1 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106884144A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 杨龙;谢致薇;郑之永;杨元政;陈先朝;张雅丽 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C25B1/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cuo 薄膜 制备 方法 反型异质结 | ||
1.一种n型CuO薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
S)将铜靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到n型CuO薄膜；所述反应磁控溅射的溅射功率为40～60W。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底的温度为100℃～200℃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射前先进行预溅射，所述预溅射的功率为40～60W；所述预溅射的时间为15～20min。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的时间30～50min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜靶材与衬底的距离为5～8cm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述工作气体为氩气；所述工作气体的流量为25～30sccm；所述反应气体为氧体；所述反应气体的流量为8～12sccm。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S)具体为：
将衬底放入磁控溅射室内，对磁控溅射室预抽真空，然后通入工作气体与反应气体；加热衬底，进行预溅射后，再将衬底中心与铜靶材正对，进行磁控溅射，在衬底上沉积得到n型CuO薄膜。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射后，将衬底与沉积在衬底上的薄膜以在磁控溅射室内以相同的环境保持20～40min，再自然冷却至室温，得到沉积在衬底上的n型CuO薄膜。
9.一种反型异质结，其特征在于，包括p型硅与设置在p型硅上的n型CuO薄膜。
10.根据权利要求9所述的反型异质结，其特征在于，所述n型CuO薄膜为权利要求1～8任意一项所制备的n型CuO薄膜。
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