[发明专利]一种表面增强基底的制备与标定性能的方法在审
| 申请号： | 201710166016.3 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN107012428A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张新民;万巧云;禚昌岩 | 申请（专利权）人： | 徐州赛恩斯源新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/16;C23C14/30;G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市铜山区大学*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面增强基底的制备与标定性能的方法，通过动态阴影沉积技术，利用电子束蒸发薄膜沉积系统，在高真空度条件下在干净的玻璃片上生长均匀倾斜排列的银纳米棒阵列，该方法制备的表面增强基底具有特殊的银纳米棒阵列结构，这使得它具有高灵敏度以及优越的稳定性，该方法生产出的表面增强基底重复度高，同一批次不同表面增强基底的SERS强度变化不到10％，不同批次基底的SERS强度变化不到15％，相比其他纳米结构制备技术可控性强、成本低、重复度高，并且适应于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 增强 基底 制备 标定 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种表面增强基底的制备方法，其特征在于，通过动态阴影沉积技术，利用电子束蒸发薄膜沉积系统，在高真空度条件下在干净的玻璃片上生长均匀倾斜排列的银纳米棒阵列，具体步骤为：(1)将玻璃片切割成1×1cm2大小的正方形，浸泡于混合洗涤液中煮沸20min，取出后用二次去离子水冲洗三遍，氮气吹干后放入沉积室中；(2)确认坩埚内蒸镀材料银和钛的体积是否占坩埚体积的70％，确认膜厚传感器的寿命是否大于30％，检查整机冷却水循环是否正常，样品台转动是否正常；(3)在控制柜系统操作的真空界面中选择自动抽真空，约1.5小时后真空度达到5×10‑7Torr后，进行基底的制备；(4)设置材料参数、膜厚、速率以及选择传感器，使用一号电子枪以0.2nm/s蒸镀速率匀速沉积20nm厚的Ti薄膜，随后使用二号电子枪以0.3nm/s的速率沉积200nm厚的Ag薄膜。接着设置样品台角度，使样品台相对蒸汽源入射方向转动86°，继续使用二号电子枪以0.3nm/s的速率匀速沉积厚度为2000nm的银层。
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