[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

本发明提供一种不进行p型杂质的离子注入，便抑制电场集中在沟槽底面的外周附近的技术。是具有沟槽栅结构的半导体装置的制造方法,其中，在n型半导体区域形成工序中，在位于n型半导体区域的下方的n型半导体层的至少一部分，形成p型半导体层所包含的p型杂质扩散的p型杂质扩散区域。

主权项

一种半导体装置的制造方法，是具有沟槽栅结构的半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：层叠工序，在包含n型杂质的n型半导体层上层叠包含p型杂质的p型半导体层；n型半导体区域形成工序，向所述p型半导体层离子注入n型杂质并进行用于使所述离子注入的n型杂质激活的热处理，从而在所述p型半导体层的至少一部分形成n型半导体区域；以及沟槽形成工序，形成贯穿所述p型半导体层并凹入到所述n型半导体层的沟槽，在所述n型半导体区域形成工序中，在位于所述n型半导体区域的下方的所述n型半导体层的至少一部分，形成所述p型半导体层所包含的p型杂质扩散的p型杂质扩散区域。