[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201710140999.3 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN107195621B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 脇岡宽之 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 实施方式提供一种能够抑制半导体芯片翘曲的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备衬底、第1半导体芯片、第1树脂部件、第2半导体芯片及第2树脂部件。第1半导体芯片设置在衬底的上方。第1树脂部件覆盖第1半导体芯片。第2半导体芯片设置在树脂部件之上,在隔着树脂部件与第1半导体芯片对向的部分具有凹部。第2树脂部件密封第2半导体芯片。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于具备:第1半导体芯片,经由粘接剂设置在衬底的上方;第1树脂部件,覆盖所述第1半导体芯片;第2半导体芯片,设置在所述第1树脂部件之上,在隔着所述第1树脂部件与所述第1半导体芯片对向的部分具有体积比所述第1半导体芯片的体积与所述粘接剂的体积的合计体积小的凹部;以及第2树脂部件,密封所述第2半导体芯片。
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